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IXFN120N20中文资料

IXFN120N20图片

IXFN120N20外观图

  • 大小:158KB
  • 厂家:
  • 描述:MOSFET N-CH 200V 120A SOT-227B
  • 标准包装:10
  • 类别:半导体模块
  • 家庭:FET
  • 系列:HiPerFET™
  • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点:标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss):200V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:120A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:17 毫欧 @ 500mA,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 8mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:360nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:9100pF @ 25V
  • 功率 - 最大:600W
  • 安装类型:底座安装
  • 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC
  • 供应商设备封装:SOT-227B
  • 包装:管件

IXFN120N20供应商

更新时间:2023-01-07 00:57:52
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